4英寸RTP真空快速退火炉
4英寸RTP真空快速退火炉
性能指标 配备状态
温度范围 100 – 1300 ℃
升温速率 2  —  200 ℃/秒可调
密封石英腔内面尺寸 215 X 140X 14 毫米
样品最大尺寸 4英寸
计算机控制器 PC 机控制,内存 16G,SSD硬盘,处理器:I5以上及快速热处理编程控制软件RTP-500的控制软件.
可编程温度曲线存储1500 条以上, 每条曲线包括100段以上, 温度设定范围 25—1300℃ , 每段时间设定范围1—30000 秒。数据可导出为文本文件便于数据处理。自动优化温控。
真空系统 1路MFC(多路可定制)
温度重复性 +/-1℃ 6区控温
测温精确度 100-1300全温度段精度>0.5%
温度曲线 自动记录,保存,文本格式转换,支持彩色分页打印
1000℃连续工作时间 双闭环温度控制,  稳态温度稳定性±2℃ ,1000℃连续工作>1小时
快速退火炉应用领域:


硅基,三代,四代半导体制程工艺(RTP,RTA,RTO,RTN)
发光材料研究
铁电材料研究
薄膜应力调控
集成电路制造
材料物性测试前热处理,热振实验
CMOS工艺优化
掺杂激活(离子注入后退火)
欧姆接触退火(金属化退火)
氧化/氮化处理
高k介质热处理
硅片表面处理
太阳能电池制造
相变材料处理
薄膜应力调控
晶粒生长与结晶退火
新材料热稳定性研究
MEMS器件加工
纳米器件加工
高温瞬时退火实验
工艺开发与验证