8英寸RTP真空快速退火炉
8英寸RTP真空快速退火炉
温度范围 150 – 1290℃
升温速率 2  —  200℃/秒可调
密封石英腔内面尺寸 200mm上开盖不锈钢腔室(陶瓷腔,自动上片腔可选)
样品最大尺寸 8英寸(或3片4英寸)
控制软硬件 自研系统软件. 支持SEMI自动化标准,SECS/GEM通讯接口
可编程温度曲线存储500 条以上, 每条曲线包括50段以上, 温度设定范围 100—1300  C , 时间设定范围1—30000 秒。数据可导出为文本文件便于数据处理。
温度均匀性 ±1℃
真空系统 提供KF16真空接口
自动上片 可选
光学测温 可选
可编程配气系统 可编程1路质量流量计 ALICAT氮气20升/分+CDA冷却不锈钢管路。可定制(>4路)
快速退火炉应用领域:
硅基,三代,四代半导体制程工艺(RTP,RTA,RTO,RTN)
发光材料研究
铁电材料研究
薄膜应力调控
集成电路制造
材料物性测试前热处理,热振实验
CMOS工艺优化
掺杂激活(离子注入后退火)
欧姆接触退火(金属化退火)
氧化/氮化处理
高k介质热处理
硅片表面处理
太阳能电池制造
相变材料处理
薄膜应力调控
晶粒生长与结晶退火
新材料热稳定性研究
MEMS器件加工
纳米器件加工
高温瞬时退火实验
工艺开发与验证