性能指标 | 配备状态 | ||||
温度范围 | 100 – 1300 ℃ | ||||
升温速率 | 2 — 200 ℃/秒可调 | ||||
样品最大尺寸 | 12英寸 |
快速退火炉应用领域:
硅基,三代,四代半导体制程工艺(RTP,RTA,RTO,RTN)
铁电材料研究
薄膜应力调控
集成电路制造
材料物性测试前热处理,热振实验
CMOS工艺优化
掺杂激活(离子注入后退火)
欧姆接触退火(金属化退火)
氧化/氮化处理
高k介质热处理
硅片表面处理
太阳能电池制造
相变材料处理
薄膜应力调控
晶粒生长与结晶退火
新材料热稳定性研究
MEMS器件加工
纳米器件加工
高温瞬时退火实验
工艺开发与验证